Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPL60R085P7AUMA1
Herstellerteilenummer | IPL60R085P7AUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPL60R085P7AUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPL60R085P7AUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 39A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 11.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 590µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2180pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 154W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-VSON-4 |
Paket / fall | 4-PowerTSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL60R085P7AUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPL60R085P7AUMA1-FT |
IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
BUZ80A
Infineon Technologies
IPA029N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA040N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA060N06NXKSA1
Infineon Technologies
IPA100N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA126N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation