Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPL65R310E6AUMA1
Herstellerteilenummer | IPL65R310E6AUMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPL65R310E6AUMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ E6 |
IPL65R310E6AUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.1A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 310 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 400µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 104W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Thin-Pak (8x8) |
Paket / fall | 4-PowerTSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R310E6AUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPL65R310E6AUMA1-FT |
IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R180P7XKSA1
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
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