Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPA60R190E6XKSA1
Herstellerteilenummer | IPA60R190E6XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPA60R190E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPA60R190E6XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-FP |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R190E6XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPA60R190E6XKSA1-FT |
SPN03N60S5
Infineon Technologies
SPN04N60S5
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BSA223SP
Infineon Technologies
IPD60R400CEAUMA1
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IPD80R1K4P7ATMA1
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IPD80R450P7ATMA1
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IGLD60R070D1AUMA1
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IGOT60R070D1AUMA1
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IGO60R070D1AUMA1
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IPA65R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
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LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
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