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Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1

Name: IPL65R660E6AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R660E6AUMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (405 reviews)

MFG-Teilenummer: IPL65R660E6AUMA1

verfügbare Anzahl: 26940 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ E6 MOSFET N-CH 4VSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPL65R660E6AUMA1.pdf

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IPL65R660E6AUMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPL65R660E6AUMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPL65R660E6AUMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™ E6
IPL65R660E6AUMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	440pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	63W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Thin-Pak (8x8)
Paket / fall	4-PowerTSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPL65R660E6AUMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPL65R660E6AUMA1-FT

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