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Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1

MFG-Teilenummer
IPN50R650CEATMA1
verfügbare Anzahl
31380 Stücke
Referenzpreis
USD 0.248184
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPN50R650CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPN50R650CEATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPN50R650CEATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPN50R650CEATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 342pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223
Paket / fall SOT-223-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN50R650CEATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPN50R650CEATMA1-FT

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