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Infineon Technologies IPN60R2K1CEATMA1

Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1
Price: 0.165848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (412 reviews)

MFG-Teilenummer: IPN60R2K1CEATMA1

verfügbare Anzahl: 24860 Stücke

Referenzpreis: USD 0.165848

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPN60R2K1CEATMA1.pdf

IPN60R2K1CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPN60R2K1CEATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPN60R2K1CEATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPN60R2K1CEATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 60µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	6.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223
Paket / fall	SOT-223-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN60R2K1CEATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPN60R2K1CEATMA1-FT

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