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Infineon Technologies IPN65R1K5CEATMA1

MFG-Teilenummer
IPN65R1K5CEATMA1
verfügbare Anzahl
84870 Stücke
Referenzpreis
USD 0.22248
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
CoolMOS™ CE CONSUMER
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IPN65R1K5CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IPN65R1K5CEATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IPN65R1K5CEATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie CoolMOS™ CE
IPN65R1K5CEATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-SOT223
Paket / fall TO-261-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN65R1K5CEATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IPN65R1K5CEATMA1-FT

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