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Infineon Technologies IPN70R2K1CEATMA1

Name: IPN70R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R2K1CEATMA1
Price: 0.19028 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (205 reviews)

MFG-Teilenummer: IPN70R2K1CEATMA1

verfügbare Anzahl: 20260 Stücke

Referenzpreis: USD 0.19028

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPN70R2K1CEATMA1.pdf

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IPN70R2K1CEATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPN70R2K1CEATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPN70R2K1CEATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IPN70R2K1CEATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	750V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	163pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	5W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT223
Paket / fall	SOT-223-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPN70R2K1CEATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPN70R2K1CEATMA1-FT

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