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Infineon Technologies IPN80R750P7ATMA1
- MFG-Teilenummer
- IPN80R750P7ATMA1
- verfügbare Anzahl
- 31490 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.5428
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- CoolMOS™ P7 COOLMOS P7 800V SOT-223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IPN80R750P7ATMA1.pdf
IPN80R750P7ATMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IPN80R750P7ATMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IPN80R750P7ATMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| IPN80R750P7ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 140µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 500V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 7.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-SOT223 |
| Paket / fall | TO-261-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPN80R750P7ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IPN80R750P7ATMA1-FT |
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