Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP08CNE8N G
Herstellerteilenummer | IPP08CNE8N G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP08CNE8N G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
IPP08CNE8N G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 85V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 95A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 99nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6690pF @ 40V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 167W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP08CNE8N G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP08CNE8N G-FT |
IPP023N04NGXKSA1
Infineon Technologies
BUZ32 H
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel