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Infineon Technologies IPP65R190E6XKSA1

Name: IPP65R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R190E6XKSA1
Price: 2.8 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (561 reviews)

MFG-Teilenummer: IPP65R190E6XKSA1

verfügbare Anzahl: 83430 Stücke

Referenzpreis: USD 2.8

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPP65R190E6XKSA1.pdf

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IPP65R190E6XKSA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPP65R190E6XKSA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPP65R190E6XKSA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPP65R190E6XKSA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	151W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP65R190E6XKSA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPP65R190E6XKSA1-FT

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