Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R099CPXKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R099CPXKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R099CPXKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ |
IPP60R099CPXKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 255W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R099CPXKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R099CPXKSA1-FT |
IPP080N03L G
Infineon Technologies
IPP080N06N G
Infineon Technologies
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP084N06L3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP086N10N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP08CN10L G
Infineon Technologies
IPP08CN10N G
Infineon Technologies
IPP08CNE8N G
Infineon Technologies
IPP093N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP096N03L G
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel