Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R099P6XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R099P6XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R099P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P6 |
IPP60R099P6XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R099P6XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R099P6XKSA1-FT |
IPP080N06N G
Infineon Technologies
IPP084N06L3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP084N06L3GXKSA1
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IPP086N10N3GHKSA1
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IPP08CN10L G
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IPP08CN10N G
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IPP08CNE8N G
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IPP093N06N3GHKSA1
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IPP096N03L G
Infineon Technologies
IPP09N03LA
Infineon Technologies
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation