Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R099P7XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R099P7XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R099P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPP60R099P7XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1952pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 117W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R099P7XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R099P7XKSA1-FT |
IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180P04P403ATMA1
Infineon Technologies
IPB180P04P4L02ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR8ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel