Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPP60R120P7XKSA1
Herstellerteilenummer | IPP60R120P7XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPP60R120P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPP60R120P7XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 8.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 410µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1544pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 95W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP60R120P7XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPP60R120P7XKSA1-FT |
IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon Technologies
IPB180N08S402ATMA1
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IPB180N10S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB180N10S403ATMA1
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IPB180P04P403ATMA1
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IPB180P04P4L02ATMA1
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IPB240N03S4LR8ATMA1
Infineon Technologies
IPB240N03S4LR9ATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation