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Infineon Technologies IPS65R1K4C6AKMA1

Name: IPS65R1K4C6AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPS65R1K4C6AKMA1
Price: 0.848 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (360 reviews)

MFG-Teilenummer: IPS65R1K4C6AKMA1

verfügbare Anzahl: 42940 Stücke

Referenzpreis: USD 0.848

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IPS65R1K4C6AKMA1.pdf

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IPS65R1K4C6AKMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IPS65R1K4C6AKMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IPS65R1K4C6AKMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolMOS™
IPS65R1K4C6AKMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	225pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	28W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	PG-TO251-3
Paket / fall	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPS65R1K4C6AKMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IPS65R1K4C6AKMA1-FT

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