Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IPZA60R099P7XKSA1
Herstellerteilenummer | IPZA60R099P7XKSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IPZA60R099P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolMOS™ P7 |
IPZA60R099P7XKSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 31A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 10.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 530µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1952pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 117W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | PG-TO247-4 |
Paket / fall | TO-247-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPZA60R099P7XKSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IPZA60R099P7XKSA1-FT |
IPI70N10SL16AKSA1
Infineon Technologies
IPI77N06S3-09
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IPI80CN10N G
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IPI80N03S4L03AKSA1
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IPI80N03S4L04AKSA1
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IPI80N04S204AKSA1
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IPI80N04S2H4AKSA1
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IPI80N04S303AKSA1
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IPI80N04S304AKSA1
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IPI80N04S306AKSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel