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IRC630PBF Image

Vishay Siliconix IRC630PBF

MFG-Teilenummer
IRC630PBF
verfügbare Anzahl
80550 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9A TO-220-5
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRC630PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRC630PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRC630PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRC630PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
FET-Funktion Current Sensing
Verlustleistung (max.) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220-5
Paket / fall TO-220-5
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRC630PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRC630PBF-FT

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