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Infineon Technologies IRF1010NSTRR

Name: IRF1010NSTRR
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1010NSTRR
Availability: InStock
Rating: 4.6 (641 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF1010NSTRR

verfügbare Anzahl: 20630 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF1010NSTRR.pdf

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IRF1010NSTRR Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF1010NSTRR
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF1010NSTRR
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF1010NSTRR Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	85A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3210pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D2PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1010NSTRR Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF1010NSTRR-FT

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