Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF1010ZS
Herstellerteilenummer | IRF1010ZS |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF1010ZS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF1010ZS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2840pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 140W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1010ZS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF1010ZS-FT |
IPB65R110CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R125C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel