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Herstellerteilenummer | IRF1018ESPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF1018ESPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF1018ESPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 79A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 110W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1018ESPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF1018ESPBF-FT |
IPB65R150CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R150CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C6ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R190CFDAATMA1
Infineon Technologies
IPB65R190CFDATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB65R225C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB65R280C6ATMA1
Infineon Technologies
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel