Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF1902GPBF
Herstellerteilenummer | IRF1902GPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF1902GPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF1902GPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF1902GPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF1902GPBF-FT |
BSO064N03S
Infineon Technologies
BSO065N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO072N03S
Infineon Technologies
BSO080P03NS3EGXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03NS3GXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SHXUMA1
Infineon Technologies
BSO080P03SNTMA1
Infineon Technologies
BSO083N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
BSO094N03S
Infineon Technologies
BSO104N03S
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel