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Infineon Technologies IRF1902PBF

Name: IRF1902PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1902PBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (756 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF1902PBF

verfügbare Anzahl: 19220 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF1902PBF.pdf

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IRF1902PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF1902PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF1902PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF1902PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	310pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1902PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF1902PBF-FT

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