Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF2807STRLPBF
Herstellerteilenummer | IRF2807STRLPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF2807STRLPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF2807STRLPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 82A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 43A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3820pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 230W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2807STRLPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF2807STRLPBF-FT |
IPB80N06S208ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S208ATMA2
Infineon Technologies
IPB80N06S209ATMA1
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IPB80N06S209ATMA2
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IPB80N06S2H5ATMA1
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IPB80N06S2L-H5
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IPB80N06S2L06ATMA2
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IPB80N06S2L07ATMA1
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel