Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF2903ZSPBF
Herstellerteilenummer | IRF2903ZSPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF2903ZSPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF2903ZSPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6320pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 231W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D2PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF2903ZSPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF2903ZSPBF-FT |
IPB80N06S2L05ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L06ATMA2
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IPB80N06S2L07ATMA1
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IPB80N06S2L09ATMA1
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IPB80N06S2L09ATMA2
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IPB80N06S2L11ATMA1
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IPB80N06S2L11ATMA2
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IPB80N06S2LH5ATMA4
Infineon Technologies
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel