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Infineon Technologies IRF3717PBF

MFG-Teilenummer
IRF3717PBF
verfügbare Anzahl
76560 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF3717PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF3717PBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF3717PBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF3717PBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2890pF @ 10V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF3717PBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF3717PBF-FT

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