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Infineon Technologies IRF6711STRPBF

MFG-Teilenummer
IRF6711STRPBF
verfügbare Anzahl
68120 Stücke
Referenzpreis
USD 0.75504
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IRF6711STRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRF6711STRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRF6711STRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRF6711STRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 19A (Ta), 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1810pF @ 13V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package DIRECTFET™ SQ
Paket / fall DirectFET™ Isometric SQ
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6711STRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRF6711STRPBF-FT

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