Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6713STRPBF
Herstellerteilenummer | IRF6713STRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6713STRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6713STRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 95A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 50µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 13V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ SQ |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric SQ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6713STRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6713STRPBF-FT |
IRF7769L2TR1PBF
Infineon Technologies
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