Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF6726MTR1PBF
Herstellerteilenummer | IRF6726MTR1PBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRF6726MTR1PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF6726MTR1PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6140pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ MT |
Paket / fall | DirectFET™ Isometric MT |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6726MTR1PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF6726MTR1PBF-FT |
IRF6665
Infineon Technologies
IRF6665TR1
Infineon Technologies
IRF6665TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6665TRPBF
Infineon Technologies
IRF6706S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6706S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6708S2TRPBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6709S2TRPBF
Infineon Technologies
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation