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Herstellerteilenummer | IRF7205PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7205PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF7205PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7205PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF7205PBF-FT |
BSO4420
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XC3S250E-5PQ208C
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
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A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
Intel