Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / IRF7338PBF

Infineon Technologies IRF7338PBF

Name: IRF7338PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7338PBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (379 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF7338PBF

verfügbare Anzahl: 73580 Stücke

Referenzpreis: USD 0

Unser Preis: Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns

Versanddatum: Wir können heute ausliefern

Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF7338PBF.pdf

IRF7338PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF7338PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF7338PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF7338PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 9V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7338PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF7338PBF-FT

Wie man bestellt?

Angebotsanfrage - Preis bestätigen - Bestellung - Zahlung - Versand - Fertig

Versandarten

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Frachtberechnung: Bitte kontaktieren Sie uns