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Infineon Technologies IRF7341PBF

Name: IRF7341PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7341PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (373 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF7341PBF

verfügbare Anzahl: 45130 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF7341PBF.pdf

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IRF7341PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF7341PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF7341PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF7341PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 25V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package	8-SO
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7341PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF7341PBF-FT

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