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Herstellerteilenummer | IRF7342QTRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF7342QTRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF7342QTRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 690pF @ 25V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7342QTRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF7342QTRPBF-FT |
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AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
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EP4SE230F29I3N
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EP3C25F324I7
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EP20K200EQC208-2X
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