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Infineon Technologies IRF7601PBF

Name: IRF7601PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7601PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (292 reviews)

MFG-Teilenummer: IRF7601PBF

verfügbare Anzahl: 30870 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRF7601PBF.pdf

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IRF7601PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRF7601PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRF7601PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRF7601PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	5.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.8W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Micro8™
Paket / fall	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7601PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRF7601PBF-FT

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