Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRF9392PBF
Herstellerteilenummer | IRF9392PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF9392PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF9392PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1 mOhm @ 7.8A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9392PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF9392PBF-FT |
IRF7807D2
Infineon Technologies
IRF7807D2PBF
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IRF7807D2TR
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IRF7807D2TRPBF
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LFXP6E-3Q208C
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