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Herstellerteilenummer | IRF9410PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF9410PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF9410PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9410PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF9410PBF-FT |
IRF7807PBF
Infineon Technologies
IRF7807TR
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IRF7807TRPBF
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XC3S400-4TQG144C
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XC2V1500-4FGG676I
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10M08SAU169A7G
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5SGXEB5R3F43C3N
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A42MX24-1TQG176
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APA150-FGG144A
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