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Herstellerteilenummer | IRF9910TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRF9910TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRF9910TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9910TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRF9910TR-FT |
IRF7102
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M1A3PE1500-PQG208I
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XC5VFX70T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LMG328I
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LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
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10AX115N3F45E2SG
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EP3SE50F780C4N
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