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Infineon Technologies IRFB38N20DPBF

Name: IRFB38N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB38N20DPBF
Price: 1.872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (189 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFB38N20DPBF

verfügbare Anzahl: 82310 Stücke

Referenzpreis: USD 1.872

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFB38N20DPBF.pdf

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IRFB38N20DPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFB38N20DPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFB38N20DPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFB38N20DPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB38N20DPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFB38N20DPBF-FT

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