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Herstellerteilenummer | IRFH5020TR2PBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH5020TR2PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFH5020TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH5020TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFH5020TR2PBF-FT |
BSC080P03LSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC082N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSC084P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC085N025S G
Infineon Technologies
BSC0901NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0902NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
Infineon Technologies
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
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EP1C20F324C8N
Intel