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Infineon Technologies IRFH5020TRPBF

MFG-Teilenummer
IRFH5020TRPBF
verfügbare Anzahl
58370 Stücke
Referenzpreis
USD 0.850904
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRFH5020TRPBF.pdf
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IRFH5020TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFH5020TRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFH5020TRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFH5020TRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH5020TRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFH5020TRPBF-FT

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