Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFH7188TRPBF
Herstellerteilenummer | IRFH7188TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH7188TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FASTIRFET™, HEXFET® |
IRFH7188TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 18A (Ta), 105A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2116pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 132W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH7188TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFH7188TRPBF-FT |
BSC0904NSIATMA1
Infineon Technologies
BSC0908NSATMA1
Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1
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BSC090N03MSGATMA1
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BSC093N04LSGATMA1
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M2GL025T-1VFG256I
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