Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSC098N10NS5ATMA1
Herstellerteilenummer | BSC098N10NS5ATMA1 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-BSC098N10NS5ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSC098N10NS5ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 36µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC098N10NS5ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSC098N10NS5ATMA1-FT |
AUIRFN7107TR
Infineon Technologies
AUIRFN8401TR
Infineon Technologies
AUIRFN8403TR
Infineon Technologies
AUIRFN8405TR
Infineon Technologies
BSC009NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel