Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFH8307TRPBF
Herstellerteilenummer | IRFH8307TRPBF |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH8307TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
IRFH8307TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 42A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8307TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFH8307TRPBF-FT |
BSC098N10NS5ATMA1
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BSC100N03LSGATMA1
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