Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFH8337TRPBF
Herstellerteilenummer | IRFH8337TRPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRFH8337TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFH8337TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 35A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 27W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFH8337TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFH8337TRPBF-FT |
BSC117N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC118N10NSGATMA1
Infineon Technologies
BSC119N03S G
Infineon Technologies
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel