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Infineon Technologies BSC190N12NS3GATMA1

Name: BSC190N12NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC190N12NS3GATMA1
Price: 0.61624 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (39 reviews)

MFG-Teilenummer: BSC190N12NS3GATMA1

verfügbare Anzahl: 77600 Stücke

Referenzpreis: USD 0.61624

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSC190N12NS3GATMA1.pdf

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BSC190N12NS3GATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSC190N12NS3GATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSC190N12NS3GATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSC190N12NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.6A (Ta), 44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2300pF @ 60V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC190N12NS3GATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSC190N12NS3GATMA1-FT

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