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IRFHM3911TRPBF Image

Infineon Technologies IRFHM3911TRPBF

MFG-Teilenummer
IRFHM3911TRPBF
verfügbare Anzahl
54020 Stücke
Referenzpreis
USD 0.282032
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
IRFHM3911TRPBF.pdf
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IRFHM3911TRPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer IRFHM3911TRPBF
Zukünftige Teilenummer FT-IRFHM3911TRPBF
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie HEXFET®
IRFHM3911TRPBF Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-PQFN (3x3)
Paket / fall 8-PowerTDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFHM3911TRPBF Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IRFHM3911TRPBF-FT

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