Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFHM4231TRPBF
Herstellerteilenummer | IRFHM4231TRPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRFHM4231TRPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRFHM4231TRPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 13V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 29W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (3x3) |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFHM4231TRPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFHM4231TRPBF-FT |
BSC119N03S G
Infineon Technologies
BSC120N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC123N10LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC13DN30NSFDATMA1
Infineon Technologies
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC159N10LSFGATMA1
Infineon Technologies
BSC190N12NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC190N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC196N10NSGATMA1
Infineon Technologies