Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRFI630G
Herstellerteilenummer | IRFI630G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRFI630G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IRFI630G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFI630G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRFI630G-FT |
IRFI820GPBF
Vishay Siliconix
IRFI840GLCPBF
Vishay Siliconix
IRFI9610GPBF
Vishay Siliconix
IRFIB7N50APBF
Vishay Siliconix
IRFIBC40GLCPBF
Vishay Siliconix
IRFIZ44GPBF
Vishay Siliconix
IRLI520GPBF
Vishay Siliconix
TK46A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK100A08N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A80E,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel