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TK6A80E,S4X Image

Toshiba Semiconductor and Storage TK6A80E,S4X

MFG-Teilenummer
TK6A80E,S4X
verfügbare Anzahl
77460 Stücke
Referenzpreis
USD 1.512
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
π-MOSVIII MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
TK6A80E,S4X.pdf
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TK6A80E,S4X Spezifikationen

Herstellerteilenummer TK6A80E,S4X
Zukünftige Teilenummer FT-TK6A80E,S4X
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie π-MOSVIII
TK6A80E,S4X Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 600µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220SIS
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK6A80E,S4X Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer TK6A80E,S4X-FT

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