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Infineon Technologies IRFL4105PBF

Name: IRFL4105PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFL4105PBF
Availability: InStock
Rating: 5.0 (61 reviews)

MFG-Teilenummer: IRFL4105PBF

verfügbare Anzahl: 12980 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IRFL4105PBF.pdf

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IRFL4105PBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IRFL4105PBF
Zukünftige Teilenummer	FT-IRFL4105PBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
IRFL4105PBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-223
Paket / fall	TO-261-4, TO-261AA
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFL4105PBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IRFL4105PBF-FT

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