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Infineon Technologies IRFL4105PBF
- MFG-Teilenummer
- IRFL4105PBF
- verfügbare Anzahl
- 12980 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- HEXFET® MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- IRFL4105PBF.pdf
IRFL4105PBF Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | IRFL4105PBF |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-IRFL4105PBF |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | HEXFET® |
| IRFL4105PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFL4105PBF Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | IRFL4105PBF-FT |
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